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Hochgeschwindigkeits-5G-FPC-Film-Polyimid-Kunststofffolien-Leiterplattensubstratmaterial

Bescheinigung
CHINA Hefei Guofeng Advanced Basic Materials Technology Co., Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Wir schätzen ihren Enthusiasmus für Innovation und Kommunikation — er hat unser Projekt auf ein höheres Niveau gehoben.

—— DNP

Ihr Kundendienst reagierte blitzschnell—Probleme wurden umgehend gelöst, was die Zusammenarbeit reibungslos gestaltete!

—— Itochu Corporation

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Hochgeschwindigkeits-5G-FPC-Film-Polyimid-Kunststofffolien-Leiterplattensubstratmaterial

High Speed 5G FPC Film Polyimide Plastic Film Circuit Substrate Material
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Großes Bild :  Hochgeschwindigkeits-5G-FPC-Film-Polyimid-Kunststofffolien-Leiterplattensubstratmaterial

Produktdetails:
Herkunftsort: CHINA
Markenname: Guofeng
Zertifizierung: UL ISO ROHS
Modellnummer: 7.5um
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: $300-$30000
Verpackung Informationen: Standardverpackung
Lieferzeit: Verhandlung
Zahlungsbedingungen: L/c, t/t
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: Verhandlung
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Hochgeschwindigkeits-5G-FPC-Film-Polyimid-Kunststofffolien-Leiterplattensubstratmaterial

Beschreibung
UV -Widerstand: Ja Chemischer Widerstand: Exzellent
Farbe: Transparent Tränenwiderstand: Hoch
Klebertyp: Acryl Material: Polyester
Klebstärke: Hoch Elektrische Isolierung: Exzellent
Flexibilität: Flexibel
Hervorheben:

FPC-Folienmaterial

,

5G-FPC-Film

,

Polyimid-Kunststofffolien-Substrat

5G und Hochgeschwindigkeits-Schaltkreissubstrat

 

Produktübersicht

Unser 5G- und Hochgeschwindigkeits-Schaltkreissubstrat ist ein fortschrittliches Hochfrequenzmaterial, das entwickelt wurde, um die hohen Anforderungen an drahtlose und schnelle digitale Anwendungen der nächsten Generation zu erfüllen.mit ultra-niedrigem dielektrischen Verlust und außergewöhnlicher Signalintegrität, ermöglicht dieses Substrat höhere Datenraten, reduzierten Stromverbrauch und verbesserte Zuverlässigkeit in der 5G-Infrastruktur, Hochleistungsrechner und fortschrittlichen Automobilsystemen.Die optimierten elektrischen und thermischen Eigenschaften gewährleisten eine gleichbleibende Leistung auch unter schwierigsten Betriebsbedingungen.


Wesentliche Merkmale

  1. Überlegene Hochfrequenzleistung

    • Der ultra-niedrige dielektrische Verlust (Df ≤ 0,0018 @ 28 GHz) minimiert Signaldämpfung und Energieabbau.

    • Eine enge dielektrische Konstante (Dk 2,03,5 ± 0,05) sorgt für eine gleichbleibende Impedanzvergleichung und Signalzeit.

  2. Verbessertes Wärmemanagement

    • Die hohe Wärmeleitfähigkeit (bis zu 1,2 W/m·K) führt zu einer effizienten Wärmeverteilung und verringert die Hotspots in dichten Schaltkreisen.

    • Der niedrige Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) entspricht dem Kupfer, was eine Delamination und eine Rissbildung verhindert.

  3. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit

    • Widerstandsfähig gegen Hochtemperatur-Lötprozesse und thermischen Kreislauf ohne Abbau.

    • Niedrige Feuchtigkeitsabsorption (< 0,02%) ermöglicht eine Leistungsfähigkeit in feuchten Umgebungen.

  4. Erweiterte Prozesskompatibilität

    • Kompatibel mit mehrschichtiger Lamination, Microvia-Bohrverfahren und Feinlinien-Plattformen.

    • Das glatte Oberflächenprofil (Ra ≤ 0,4 μm) ermöglicht eine präzise Ablagerung von Dünnschichtbauteilen.


Nachgelagerte Anwendungen

  1. 5G/6G-Infrastruktur

    • Massive MIMO-Antennen, Leistungsverstärker und HF-Front-End-Module.

    • Millimeterwellen-Phase-Array-Module und Stromteilungen für Basisstationen.

  2. Hochgeschwindigkeitsrechner

    • Server-Motherboards, Hochgeschwindigkeits-Switches und KI-Beschleunigerkarten.

    • Hochfrequenzverbindungen und IC-Substrate für Rechenzentren.

  3. Elektronik für die Automobilindustrie

    • ADAS-Radarsensoren (77/79 GHz) und Fahrzeug-zu-alles-Kommunikationsmodule (V2X).

    • Netzwerk- und Infotainmentsysteme im Fahrzeug.

  4. Luft- und Raumfahrt

    • Radar- und elektronische Kriegsführung.

    • Satellitenkommunikationsterminals und Avionik.

  5. Verbraucherelektronik

    • Hochleistungs-Smartphones und Wearables.

    • AR/VR-Ausrüstung und Hochgeschwindigkeitsverbindungsmodule.


Warum dieses Substrat?

Dieses Substrat bietet ein optimales Gleichgewicht zwischen geringem Verlust, thermischer Stabilität und Fertigungsflexibilität.Dies macht es zur idealen Wahl für Designer, die die Grenzen von 5G und schnellen digitalen Systemen überschreiten.Die bewährte Zuverlässigkeit und Leistung ermöglichen es Innovatoren, kleinere, schnellere und effizientere elektronische Produkte zu entwickeln.

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Tags: 

Polyimidfolie  

Kontaktdaten
Hefei Guofeng Advanced Basic Materials Technology Co., Ltd.

Ansprechpartner: Jihao

Telefon: +86 18755133999

Faxen: 86-0551-68560865

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